[1]范闪闪,路雪,牛纪伟,等.锗烷浓度对非晶/微晶相变区硅锗薄膜结构及光电特性的影响[J].河北工业大学学报,2017,(03):83-87.[doi:10.14081/j.cnki.hgdxb.2017.03.015]
 [J].Journal of Hebei University of Technology,2017,(03):83-87.[doi:10.14081/j.cnki.hgdxb.2017.03.015]
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锗烷浓度对非晶/微晶相变区硅锗薄膜结构及光电特性的影响()
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《河北工业大学学报》[ISSN:1007-2373/CN:13-1208/T]

卷:
期数:
2017年03期
页码:
83-87
栏目:
出版日期:
2017-07-05

文章信息/Info

作者:
范闪闪12 路雪1 牛纪伟3 于威3 傅广生13
(1.河北工业大学电子信息工程学院, 天津300401; 2.河北工业大学理学院, 天津300401; 3.河北大学物理科学与技术学 院, 河北保定071002)
关键词:
等离子体增强化学气相沉积 硅锗合金薄膜 相变区及相变边缘 锗烷浓度 光敏性
DOI:
10.14081/j.cnki.hgdxb.2017.03.015
文献标志码:
A
摘要:
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术, 制备了一系列从非晶到微晶相变区硅锗合金薄膜, 研究了 锗烷浓度对相变区及相变边缘硅锗薄膜微观结构和光电特性的影响. 结果表明, 锗烷的加入抑制了晶态硅的生 长, 使硅锗合金薄膜发生从晶态到非晶结构的转变. 相变区硅锗薄膜为富硅合金薄膜, 表现为纳米硅晶粒镶嵌 于非晶硅锗网络的微观结构. 随着锗烷浓度增加, 合金薄膜光学带隙Eopt 逐渐减小, 表征薄膜结构有序性的结 构因子F, 呈先减小后增加趋势. 当锗烷浓度为9%时, 硅锗合金薄膜处在非晶/微晶相变边缘, 薄膜具有较高 的致密性, 光敏性接近104, 适用于叠层薄膜太阳能电池器件吸光层应用.
更新日期/Last Update: 2017-09-11